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Module GD150PIX120C6SN transistor de puissance 1200V pour onduleur

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Le choix technique pour les applications de forte puissance

Intégrez le module GD150PIX120C6SN au cœur de vos architectures électroniques pour bénéficier d'une gestion de courant sans compromis. Ce composant robuste est spécifiquement calibré pour les environnements industriels où la tension peut atteindre des sommets, offrant une barrière de sécurité physique contre les arcs électriques.

Optimisation des performances thermomécaniques

La conception de ce boîtier intègre des matériaux composites avancés qui résistent aux cycles thermiques répétés. Que vos machines subissent des démarrages fréquents ou fonctionnent en continu 24 heures sur 24, le module maintient ses caractéristiques électriques stables dans le temps.

Données de conception

Paramètre essentielValeur nominale
Technologie de puceIGBT Trench Gate
Configuration internePont triphasé avec thermistance
Température de jonctionJusqu'à 150 degrés Celsius

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